编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备等发展现状及未来趋势进行了研讨。
苏州纳维科技有限公司董事长徐科：
2005年，甚至更早一点，碳化硅还没有商业化的单晶碳化硅衬底，全部是在硅上生长，今天的氮化镓是在碳化硅或者是硅上外延，所以从半导体材料角度来看，材料的质量是非常关键的。
氮化镓的发展是从蓝光LED发展开始的。蓝光LED主要是在蓝宝石上外延，是目前绝对主流技术。随着技术的发展，基于氮化镓的外延技术发展出了功率器件，特别是硅上的氮化镓。将来这个技术最大的空间是电压600V以下的功率器件。而射频器件主要采用的是碳化硅基氮化镓，主要因为散热的考虑，现在基站射频器件，70%的能量是热量，30%是发射微波，碳化硅散热更好，所以是首选。
从长远发展来看，基于氮化镓单晶材料的高质量，全氮化镓器件是明确的发展方向，但是发展有多快，需要产业界慢慢验证。其中一个是延续半导体照明和光电子，把半导体照明和LED技术继续研发下去，尤其是做激光器肯定需要氮化镓单晶材料，因为激光器的功率密度很高，这时材料质量的重要性就显示出来了。未来，功率电子和微波也是全氮化镓器件的发展方向。
氮化镓的单晶材料生长最成熟的方法是HVPE法。首先，要把材料做得很厚，或者是质量做得很好，最重要的是要控制应力。其次，需要控制导电性，这有两种方法：一个是掺Ge，一个是掺Si，业内目前倾向于掺Ge。最后，需要对材料进行表面抛光大，达到更完美的表面质量。
氮化镓单晶材料非常重要，从技术上已经可以生产2英寸、4英寸和6英寸，但产业的真正发展还需要和器件的用户共同推进。